一、基本情况

黎明锴，1976-04，中共党员，教授，中国电工学会电子束离子束专业委员会委员，中国物理学会终身会员，中国材料研究会高级会员，湖北省仪器仪表学会理事

电子邮件：mkli@hubu.edu.cn

研究方向：宽进带半导体材料

二、教育背景

1.1994-1998武汉大学物理系应用物理专业学士学位

2.1998-2004武汉大学物理科学与技术学院凝聚态物理专业博士

三、工作经历

1.2004-2011 韩国东国大学量子功能半导体研究中心博士后、研究教授

2.2011-2018 湖北大学材料科学与工程学院副教授

3.2016-2017 瑞典乌普萨拉大学物理与天文学系访问学者

4.2018-现在 湖北大学材料科学与工程学院教授

四、主持科研项目（代表性）

1. 主持国家自然科学基金面上项目, 等价阴阳离子共掺对ZnO晶体与电子结构的协同调控机制研究

2. 主持国家自然科学基金面上项目, 新型SnO2基超宽禁带合金半导体设计、禁戒跃迁解除与日盲紫外光探测器探索

五、代表性论文（#第一作者; *通讯作者）

1．Formation of Ni Schottky contact and quasi-vertical Schottky barrier diode on SnO2 thin film, Appl. Phys. Lett. 126, 153501 (2025)

2．First-principles study of the rectifying properties of Au/SnO2 interface, Applied Surface Science, 637, 157939 (2023)

3．Multi-component ZnO alloys: bandgap engineering, hetero-structures, and optoelectronic devices, Mater. Sci. Eng. R, 147, 100661 (2022)

4．Nb-doped ZrxSn1-xO2: experimental and first-principles study, J. Appl. Phys. 130, 015702 (2021) .

5．Achieving p-type conductivity in wide-bandgap SnO2 by a two-step process, Appl. Phys. Lett. 118, 112102 (2021)展与资源梯级高值高效利用思考.矿产保护与利用,2020,40(06):109-116.