技术专长
自旋电子学，半导体芯片（工艺)，磁性材料及器件，新型非易失存储器（EmergingNVM)，数据存储
系统，相关低功耗/智能化系统（含人工智能）。
学习经历
【1993-1998】CarnegieMellonUniversity，电机和计算机工程系，博士(Ph.D)。国际上率先从事TMR（隧道磁阻效应）材料及存储器件研究的博士生之一，有多项原创性成果。该技术已在硬盘磁头和
MRAM存储芯片等领域大规模产业化。导师为RobertMWhite教授，美国工程院院士，曾任主管包括NIST（美国国家标准局）等科技部门的美国商务部副部长。
【1993-1994】CarnegieMellonUniversity，电机和计算机工程系，硕士(Ms)，主修集成电路。
【1991-1993】RutgersUniversity（新泽西州立大学)，物理系，硕士(Ms)，主修固态物理。
【1986-1991】清华大学，电子工程系，学士（BS)，主修电子物理及器件。
【2011/0-2022/10】美国硅谷初创公司，产品开发部门资深总监。负责公司MRAM非易失存储芯片系列产品研发（含核心材料/工艺及制程）和300mm晶园代工厂的运营管理。成功推出三代业界领先的高性能/低功耗/高可靠性MRAM产品。
工作经历
【2002/10-2011/01】IBM StorageTechnology Division和日立环球存储技术公司(HGST)，先后担任跨国生产测试和硬盘磁头设计部门主管。2011年被WesternDigital（西部数据）并购。
【1998/01-2002/10】Read-RiteCorporation，担任产品测试和磁头设计部门的高级工程师和部门经理。2003年被WesternDigital（西部数据）并购。
*国际上率先研究磁阻隧道节（MTJ）材料/器件的博士生之一。参与了从器件机理/设计到薄膜工艺制备/测试的全过程，成功开发出一整套涵盖磁阻隧道结（MTJ）基础材料/工艺直至功能器件的核心技术。原创性成果包括偏置电压和薄膜质量对MTJ器件性能的影响及机理等。目前MTJ技术已在多个应用领域（存储器芯片、硬盘磁头及传感器等）大规模产业化。
*在二十余年的工业界研发生涯中，以MITJ基础材料和器件为核心，深耕HDD磁头及新型存储芯片，
积累了丰富的从LAB到FAB的高新技术研发及产业化经验。
主要成就
*近十余年负责新型非易失存储芯片（MRAM）的核心技术研发及产业化，深度了解核心MTJ材料、器件机理及制备工艺。与知名设备厂商和一线代工厂实现高良率40/28/22/1x纳米CM0S工艺整合，并成功推出三代高性能/高可靠性独立式STT-MRAM产品，容量高至Gb量级。另成功开发出22纳米嵌入式
STT-MRAM，作为28/22纳米技术节点及之后的嵌入式存储器解决方案。
*50多项已授权的美国和国际专利，30余篇国际权威学术刊物和会议上发表的论文。
*多次应邀在华人和美国主流专业团体做技术汇报和业界展望。
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